RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
46
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
37
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2875
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link