RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
46
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
37
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2875
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link