RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
47
Wokół strony 2% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
47
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2640
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
INTENSO M418039 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link