RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
46
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2689
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link