RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
94
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.4
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
94
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
1390
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link