RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
46
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2949
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link