RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
48
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
48
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3207
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link