RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
46
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2858
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link