RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
46
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
37
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2814
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link