RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
46
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
39
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2651
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link