RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
69
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.5
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
69
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
6.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
1598
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link