RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
46
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
37
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2804
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link