RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
46
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
37
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2804
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link