RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
73
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
73
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
1838
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link