RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
46
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.8
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
18.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
4382
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Team Group Inc. 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link