RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
46
Wokół strony -119% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
21
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
4230
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link