RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
46
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3488
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link