RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
46
Wokół strony -142% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.8
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.1
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
19
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
20.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3821
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link