RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
46
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3564
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link