RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
46
Wokół strony -142% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
19
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3383
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link