RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
46
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
24
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
21.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
4006
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99C5316-026.A00LF 1GB
Kingston 9905316-005.A04LF 1GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link