RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
46
Wokół strony -119% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
21
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3216
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link