RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
46
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.2
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
24
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
18.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3990
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link