RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
46
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
25
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3845
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link