RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3535
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link