RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
46
Wokół strony -171% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.1
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.0
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
17
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
22.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
18.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3847
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link