RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
46
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
33
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3564
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Ramaxel Technology RMN2230MH48D8F-800 2GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link