RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
46
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3431
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link