RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
53
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
53
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2301
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link