RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
46
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
3200
Wokół strony 7.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
23400
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3245
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link