RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
46
Wokół strony -2% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
3200
Wokół strony 8 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
45
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
25600
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3102
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Kingston 99P5471-043.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Kingston 99P5471-043.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link