RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
46
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3033
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link