RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
46
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3260
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link