RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
46
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
35
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2815
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link