RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
46
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2792
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link