RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
101
Wokół strony 54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.4
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
101
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
1399
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link