RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
46
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
35
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2903
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link