RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
46
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2612
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link