RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
11.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
3200
1900
Wokół strony 1.68% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
46
Wokół strony -2% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
45
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
1900
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
no data
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2387
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link