RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
46
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
35
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2336
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link