RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
46
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.3
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.6
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
38
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2107
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link