RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3650
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
INTENSO 5641162 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link