RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3650
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link