RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
55
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
55
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2239
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link