RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
46
Wokół strony -119% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.6
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
21
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2337
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link