RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
46
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
3200
Wokół strony 8 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
36
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
25600
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3121
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link