RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3217
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Corsair VS2GB800D2 2GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link