RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
46
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.4
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
11.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
5.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
1774
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link