RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
46
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
34
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2962
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link