RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
95
Wokół strony 52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
95
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
1518
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor KLCC28F-A8KI5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link