RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
86
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
86
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
1658
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link