RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
46
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
33
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2590
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link