RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
50
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
50
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
10.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2386
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link